オープンポジション

～国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎Si、SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレスの設計企業～

■事業ミッション
これまで高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指し、R＆Dとして世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。
順調に資金調達・顧客開拓が進んだため、これまで積み上げてきたSiCパワー半導体デバイスの商品化（量産化）に向けて始動しています。
今回の募集は量産化に向けた人員強化になります。

■募集ポジション
・デバイスエンジニア…デバイスの設計
・テストエンジニア…デバイスの電気的特性のテスト
・プロセスインテグレーションエンジニア…各製造プロセスを統合して、効率的で高品質な製造プロセスを構築
・信頼性エンジニア…製造された半導体製品の長期的な信頼性の検証
・プロジェクトマネージャー…プロジェクト全体を管理
※複数名の増員募集のためご経験に合わせて、ご活躍できる職種をご相談させていただきます。

■配属先情報
大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で10～30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。

■製品について
Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.)
大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。

■独自性・優位性
パワー半導体の研究開発を進める大手メーカーでは、材料開発⇒設計⇒製造など自社一貫型で行うことが一般的であり、開発から製品が出来るまでかなりの時間を要します。
当社では世界中のファウンドリーメーカーのエンジニアと協業することで、スピーディなプロセスインテグレーションを進めています。また、SiCに強いファウンダリーが少ない中でこれまでにない半導体を生み出す最先端の研究開発を進めています。

■当社のこれから
2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

■給与形態
・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み

変更の範囲：会社の定める業務

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方
（例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験 等
※SiC・GaNなどの化合物半導体のご経験者歓迎ですが、Siのご経験者もご応募ください

■歓迎条件：
・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
・パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験

＜語学補足＞
【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

＜予定年収＞
500万円～1,100万円

＜賃金形態＞
年俸制

＜賃金内訳＞
年額（基本給）：5,000,000円～11,000,000円

＜月額＞
416,666円～916,666円（12分割）

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
無

＜給与補足＞
※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。