管理職・ウェーハボンディングプロセス統合エンジニア・世界的半導体メモリメーカー

～売上高世界トップクラスのマイクロン／積極的な設備投資～

■概要
当社の技術開発グループ内でのウェーハボンディングプロセス統合エンジニアとして、先進的なウェーハボンディング技術の開発および統合を推進していただきます。
開発から大量生産まで適用可能な革新的なソリューションに親和性があり、日本および米国のプロセス統合エンジニア、デバイス、プロセス、およびオペレーションなど、多文化で多様性のあるチームと協力して業務を行います。

■役割
ウェーハボンディングプロセス統合エンジニアは、将来のDRAM技術開発の一部となり、新しいウェーハボンディングアプリケーションの工業化において重要な役割を果たします。
このポジションは日本の広島に位置し、ボンディングプロセスの専門知識を提供します。

■業務内容
・ウェーハボンディング統合プロセスの実装を主導し、最高のパフォーマンスと信頼性を確保する。
・クロスファンクショナルに協力して統合要件を定義し、製品要件に基づいてウェーハボンディング技術のベストプラクティスを確立する。
・ウェーハボンディングの方法論におけるイノベーションを推進し、新しいボンディング技術/ソリューションをベンチマーク/評価し、業界の革新と最新技術に精通する。
・ジュニアエンジニアに技術的リーダーシップと指導を提供する。
・ウェーハボンディング統合の問題に対する詳細な分析とトラブルシューティングを実施し、必要に応じて是正措置を主導および実施する。
・米国のプロセスチームと協力して、移行とセットアップを行う。

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・電気工学、半導体デバイス技術、物理学、または関連分野での修士号または同等の経験
・業界での最低10年の経験、うち3～5年はウェーハボンディング技術に関する経験
・フュージョンボンディングの専門知識が必要
・統計的プロセス制御および分析ツールの使用に関する知識
・ウェーハボンディングに関連する材料特性評価および分析技術に関する強い理解

＜語学力＞
必要条件：英語中級

＜語学補足＞
必須：英語での口頭および書面でのコミュニケーション

＜予定年収＞
900万円～1,500万円

＜賃金形態＞
年俸制

＜賃金内訳＞
年額（基本給）：9,000,000円～15,000,000円

＜月額＞
750,000円～1,250,000円（12分割）

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
無

＜給与補足＞
※上記年収とは別に、年間+個人・会社の業績に応じたインセンティブ（15～17%）が支給されます。

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。