半導体・製造の開発

■職務内容
パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発に携わっていただきます。

具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発
・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計
・ウェハ製品／製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化

■組織ミッション：
SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体（SiC）に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。

■組織構成：
20代～50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。

■業務のやりがい・魅力：
・要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます
・自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます
・システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます
・国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます
・社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

■募集背景
カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。
市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。

変更の範囲：会社の定める業務

＜応募資格/応募条件＞
■必須要件：
◇以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体ウェハの製品設計、評価経験
・無機材料プロセス開発、工程設計経験
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験
・半導体装置（結晶成長、加工、エピ）開発、設計経験

※日本語能力検定N1レベル以上目安
#幅広い世代活躍

＜予定年収＞
600万円～1,250万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：280,000円～640,000円

＜月給＞
280,000円～640,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
■賞与：年2回
■昇給：年1回

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。