化合物半導体の製品開発エンジニア（SiC）

【脱炭素・カーボンニュートラルの実現に向けて需要増！パラダイムシフトを迎えるパワー半導体／福利厚生・研修体制充実】
■募集背景：
カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれます。産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用されるSiCの製品・ウェーハ製造（エピタキシャル成長）プロセス・装置を開発する人材を求めています。

■業務内容：
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・パワーモジュールパッケージ開発
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んでいるため、一連の業務を経験いただきながらPDCAを回しやすい職場環境です。半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方は是非ご応募ください。

■半導体事業について：
・当社の半導体事業は、ディスクリート半導体と集積回路デバイスの2つの事業領域で構成されており、産業・インフラ向け、車載向け、データセンター向けを主なターゲットとし注力しています。
・ディスクリート半導体の中でも、パワー半導体は電力の制御や変換・供給を行う、電源回路を持つすべての機器に必要不可欠であり、非常に重要なキーデバイスとして注目されています。例えば、産業・インフラ向けとしては、脱炭素・カーボンニュートラルであるとともに省エネデバイス、グリーン半導体という環境に配慮したデバイスとして、社会を支えるとともにさらなる進化が求められています。電力を使うどの領域においても、パワー半導体は課題を解決に導くことで世界の未来を大きく動かす、無くてはならないキーデバイスです。
・パワー半導体と集積回路デバイスの技術資産を活用し、ニッチな市場でゆるぎない地位を確立しているのが小信号とフォトカプラーです。東芝がもつ高度な微細化技術とパッケージング技術を駆使し、小さな領域、隙間を埋める超小型パッケージのデバイスを開発、垂直統合型の展開を行うことで、高付加価値、高収益のビジネスモデルを実現しました。確固たるテクノロジーで発揮されるシナジー効果で、ディスクリート半導体の多彩な製品群ラインアップが顧客の価値創造に貢献しています。

変更の範囲：会社の定める業務

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：下記いずれかのご経験をお持ちの方
半導体デバイス設計／プロセス技術／パッケージ技術／材料開発

■歓迎条件：
・パワーデバイス(SiC等)のチップ設計、開発に従事された経験のある方
・パワーモジュールのパッケージ設計、開発に従事された経験のある方
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方
・上記について、５年以上のご経験がある方

＜予定年収＞
500万円～1,000万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：210,000円～600,000円

＜月給＞
210,000円～600,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。
※エキスパート級（年収1,000万円）での採用の場合、住宅手当、次世代育成手当は不支給となります。
■昇給：年1回
■賞与：年2回（7月・12月）

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。