パワー半導体のデバイス設計

【脱炭素・カーボンニュートラルの実現に向けて需要増！様々なバックグラウンドのエンジニアが活躍／年休127日・福利厚生・研修体制充実】

■募集背景：
300mmウエハ―対応製造ラインを新規導入するに伴い、プロセスインテグレーション技術者の増強が必要となったため。　
<https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2021/03/corporate-20210310-1.html>

■業務内容：
デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。
・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術
・評価分析
・プロセスシミュレーション（TCAD）
【変更の範囲：会社の定める業務】

1プロダクト2～3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。
パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発～量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。

■半導体事業について：
当社の半導体事業は、ディスクリート半導体と集積回路デバイスの2つの事業領域で構成されており、産業・インフラ向け、車載向け、データセンター向けを主なターゲットとし注力しています。
ディスクリート半導体の中でも、パワー半導体は電力の制御や変換・供給を行う、電源回路を持つすべての機器に必要不可欠であり、非常に重要なキーデバイスとして注目されています。例えば、産業・インフラ向けとしては、脱炭素・カーボンニュートラルであるとともに省エネデバイス、グリーン半導体という環境に配慮したデバイスとして、社会を支えるとともにさらなる進化が求められています。電力を使うどの領域においても、パワー半導体は課題を解決に導くことで世界の未来を大きく動かす、無くてはならないキーデバイスです。

当社はパワーデバイスの開発に注力しています。パワーデバイスは半導体の特性を最大限まで引き出すために、高度なプロセス開発が必要です。300mmの最先端ラインの構築、プロセス開発にぜひ参加してください。

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：下記いずれかの経験
プロセスインテグレーションまたは半導体デバイス設計に関する知見、ご経験をお持ちの方

■歓迎条件：
・欠陥検査装置の経験者または知識をお持ちの方
・TCAD（プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーション）に関する知識をお持ちの方

＜予定年収＞
500万円～1,000万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：210,000円～600,000円

＜月給＞
210,000円～600,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。