パワー半導体のユニットプロセス開発

【脱炭素・カーボンニュートラルの実現に向けて需要増！様々なバックグラウンドのエンジニアが活躍／年休127日／リモート制度あり】

■業務内容：
MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。
【変更の範囲：会社の定める業務】

■募集背景：
・需要拡大が見込まれる低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するための300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材を募集。
・化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材を募集。

■半導体事業について：
当社の半導体事業は、ディスクリート半導体と集積回路デバイスの2つの事業領域で構成されており、産業・インフラ向け、車載向け、データセンター向けを主なターゲットとし注力しています。
ディスクリート半導体の中でも、パワー半導体は電力の制御や変換・供給を行う、電源回路を持つすべての機器に必要不可欠であり、非常に重要なキーデバイスとして注目されています。例えば、産業・インフラ向けとしては、脱炭素・カーボンニュートラルであるとともに省エネデバイス、グリーン半導体という環境に配慮したデバイスとして、社会を支えるとともにさらなる進化が求められています。電力を使うどの領域においても、パワー半導体は課題を解決に導くことで世界の未来を大きく動かす、無くてはならないキーデバイスです。

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
以下いずれかのご経験をお持ちの方
・半導体のユニットプロセス技術経験者　
・半導体装置メーカー、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方
・半導体に関連する研究を専攻されていた方

＜予定年収＞
500万円～1,000万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：210,000円～600,000円

＜月給＞
210,000円～600,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※上記予定年収は目安の金額であり、詳細はスキル・経験を考慮し選考を通じて決定いたします。
■昇給：年1回
■賞与：年2回（7月・12月）

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。